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控制晶片技術突破 TLC SSD傾巢而出

文‧蘇宇庭 發布日期:2015/02/02 關鍵字:SSD.TLC.固態硬碟.慧榮

三層式儲存固態硬碟(TLC SSD)將於2015年大舉出籠。慧榮科技發布新一代TLC控制晶片--SM2256,能大幅提升TLC NAND快閃記憶體高達三倍的寫入/抹除次數(P/E Cycle),解決其過去為人詬病的使用壽命和可靠度不佳等問題,可望刺激品牌廠加速推出高性價比的消費性TLC SSD。

慧榮科技產品企劃部專案副理陳敏豪表示,藉由先進的控制晶片技術,TLC固態硬碟的使用壽命及穩定度將大幅增加。
慧榮科技產品企劃部專案副理陳敏豪表示,相較於單層式儲存(SLC)、多層式儲存(MLC)顆粒,TLC NAND擁有顯著的價格優勢,單單比較TLC與MCL NAND市價,兩者價差波動約介於20~30%之間;而隨著製程進一步微縮,TLC NAND成本未來仍有下滑空間。

陳敏豪指出,雖然TLC顆粒具成本優勢,但使用壽命、速度、可靠性和錯誤率等方面卻為人詬病,須以先進的控制晶片及大量的預留空間(Over-provisioning)來進行糾錯及校準;也因此,目前僅有三星(Samsung)、新帝(SanDisk)兩家品牌廠在消費零售市場先後推出TLC固態硬碟。

為解決上述困境,慧榮科技推出新一代TLC NAND控制晶片--SM2256,提升TLC NAND三倍的寫入/抹除次數,進而延長其使用壽命,使TLC固態硬碟更能兼具成本及效能優勢。

陳敏豪解釋,NAND快閃記憶體的控制晶片向來係採用BCH(Bose-Chaudhuri-Hocquenghem)編碼進行糾錯,而慧榮科技則轉而選用低密度奇偶修正碼(Low Density Parity Check Code, LDPC)及RAID修正方式,研發出獨有的「NANDXtend」錯誤修正技術。

據悉,「NANDXtend」技術可高速平行解碼且即時精準修正錯誤,並依糾錯的難易度來分層開啟修正機制,有效增加TLC NAND的寫入/抹除次數,解開TLC NAND長期以來讀寫次數不理想的桎梏。

陳敏豪透露,目前SM2256已通過三家主要NAND快閃記憶體供應商--東芝(Toshiba)、三星、SK Hynix的測試,而採用慧榮科技控制晶片的TLC固態硬碟最快2015年第一季即可上市。

陳敏豪預測,2015年是TLC固態硬碟起飛元年,未來將會有許多廠商推出TLC固態硬碟,大舉搶攻消費零售市場,進而瓜分三星、SanDisk市占。值得注意的是,除了消費零售市場外,個人電腦原始設備製造商(OEM)也正密切關注TLC固態硬碟應用於桌上型電腦、筆記型電腦的可行性;因此,未來TLC固態硬碟更可望進攻電腦市場,挑戰MLC固態硬碟的主流地位。

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