Fairchild新款IGBT可降低能量損失

2015 年 06 月 22 日

快捷半導體(Fairchild)推出第四代650伏特(V)及1,200V絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)元件,其可降低能量損失達30%。該公司採用專為工業及汽車市場高/中速開關應用量身定製的新設計方法,可供工業較佳效能及較強的閂鎖抗雜訊能力,實現較佳耐用性與可靠性。


Fairchild Fellow Thomas Neyer表示,該公司採用的新方法包括,透過精細的單元間距設計來增強效率,實現較高的電子射入效率,透過新的緩衝結構限制電洞載子的射入,這些改進實現較佳效能,使該公司能賦予製造商新解決方案,藉助該IGBT控制電源產生的巨額成本。


資深IGS分析師Victoria Fodale表示,製造商高度關注更先進的IGBT,降低IGBT的開關損失能提高產品能效。在各項應用中,從電動汽車及太陽能光伏發電系統,到高效率HVAC應用及工業逆變器,最大限度降低損失是實現高能效的關鍵因素。


該公司採用新的自校準接觸技術來實施高密度間距、自平衡單元結構,在-40~175°C的溫度範圍內可實現較高電流密度及較佳的動態開關特性。新款第四代IGBT具有較低的飽和電壓及低開關損失等權衡特性,助客戶實現更高系統效率。


Fairchild網址:www.fairchildsemi.com

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