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宏微IGBT模組提升高頻設備效率

發布日期:2016/10/12 關鍵字:HNIGBT溝槽式場截止

宏微科技 HN系列1200V IGBT高速型模組,採用新一代英飛凌高速型IGBT晶片,經由適當的封裝設計,該產品系列模組,提供給客戶50A~800A不等的多款規格選擇,採用本系列模組的客戶,皆證實該模組能有效的增加終端設備的整體效率。

宏微科技發現市面上僅有極少數可供選擇的高速型IGBT大功率模組,絕大多數皆為10年前或甚至更早發表之產品,主要原因為頻率需要操作在20~200Khz的大功率應用設備並不甚普遍,IGBT模組廠商在此一領域相對較無計劃推出新產品方案。有鑑於此,該公司決定使用英飛凌HS3高速型IGBT晶片,進一步設計成大功率模組產品。

相較於市面上傳統的高速型IGBT模組,此1200V HN系列IGBT模組有許多特點,如晶片為溝槽式場截止型(Trench-Field-Stop)結構設計,Tj可高達175°C;更低的Vce壓降,有效降低30%以上的導通損耗(Conduction Loss)等。

耀迅國際科技業務副總兼宏微國際業務辦公室負責人馮耀賢表示,HN 系列高速型IGBT模組為使用溝槽式場截止型晶片的模組產品,該型晶片過去只封裝成IGBT單管(Discrete)型,很多客戶只能採用多個單管並聯方式,來達到大功率的電路設計,徒增繁瑣組裝及減低可靠度的困擾,此模組有效地幫助客戶簡化設計,同時增加客戶產品的運轉效率。

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