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讀寫速度/耐久性稱雄 鐵電記憶體進軍車用市場

文‧黃繼寬 發布日期:2017/02/06 關鍵字:FRAM汽車電子富士通半導體

支援高速讀寫,耐讀寫次數也遠高於NAND Flash的鐵電記憶體(FRAM),已經被應用在許多嵌入式電子產品中。近期日廠富士通(Fujitsu)宣布,將推出第一款針對汽車應用設計,操作溫度範圍為攝氏-40~125度,且預計將在2017年7月通過AEC Q100驗證的FRAM晶片,則為這類記憶體打開了另一個新的應用市場。

目前汽車產業正在經歷其有史以來最大的轉型期,例如先進駕駛輔助系統(ADAS)、電動車的電池管理系統(BMS)與電子化的車身控制系統等,都將徹底改變汽車的設計架構。未來汽車將布滿各式各樣的感測器,同時電子化程度也會越來越高,這使得車載電子系統需要具備快速讀寫資料的能力,而其所使用的記憶體自然必須具備更高的讀寫效能,同時也要更加耐用。

NAND Flash雖然具備容量大,單位儲存成本較低的優勢,而且讀寫速度也不差,但其可讀寫次數卻相對有限,以至於在可靠度方面常受到質疑。而且,在車載應用中,資料幾乎是不間斷地讀寫,因此,對於耐讀寫次數這項特性,要求遠比一般消費性儲存應用來得高。這些需求使得具備高讀寫次數,且讀寫速度很快的FRAM,成為理想的車用記憶體選項。

看好這個機會,富士通半導體計畫推出一系列新的車用FRAM解決方案,其第一款產品具備256kbit容量,並支援SPI介面,操作電壓為1.8~3.6V,操作溫度則為攝氏-40~125度,可滿足汽車產業對電子零組件的典型規格需求,同時也可以應用在高溫環境下作業的工業設備上。值得一提的是,該晶片的寫入次數高達十兆次,幾乎可確定在整個產品生命周期內都不會因資料寫入而損壞。

目前這系列的第一款晶片MB85RS256TY已經可提供工程樣本,預計在2017年7月通過AEC Q100驗證。

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