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GaN/SiC開關元件助陣 PV逆變器安全/性能大躍進

文‧Hans Brueggemann 發布日期:2017/05/27

太陽能不再只是一種新興技術,而是一種正在快速成熟、且正在經歷重大技術變革的技術。市電同價(Grid-parity)的目標是太陽能發電的成本,要能與傳統能源發電類型的成本相當,及改善這種傳統類型的成本,而隨著從面板的直流功率轉換成可用交流電的技術變得更有效率和可負擔得起,我們離此一目標就越來越近了。

但是,雖然近年太陽電池板成本大幅下降,推動太陽能下一波發展的動力將由針對功率轉換器系統所開發的新技術來擔綱。先進和精密多級功率開關拓撲結構的出現將可實現基於碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)材料、且速度更快的功率開關,搭配更高的工作電壓(高達1,600VDC),即可提供比傳統系統大幅提升的性能。較高的開關頻率,

意味著功率轉換器的被動元件(也就是感應線圈和電容器)的尺寸可以相當小,因此可以減輕重量和降低成本。這兩者都是讓太陽能系統市場可進一步擴大的關鍵優勢。

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