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三星/高通力推 快閃記憶體介面轉向UFS只待東風

文‧詹益瑋 發布日期:2017/06/06 關鍵字:eMMC快閃記憶體SSDMIPI

由於NAND快閃記憶體製程轉進3D不順,整體產能不足,本被預期將在2016年起飛的通用快閃記憶體(UFS)因而雷聲大雨點小,目前在智慧型手機領域的滲透率估計僅7%上下,且集中於其主力推手三星的Galaxy系列智慧型手機。不過,三星與高通(Qualcomm)近日動作頻頻,後者更在主推自家驍龍835系統單晶片(SoC)的同時一併拉抬UFS,期望將之擴及虛擬實境(VR)、車載或無人機等需要高階影像處理的其他領域,有機會擴大該技術的市場影響力。

慧榮產品協理謝逸群表示,若驍龍835順利普及於旗艦乃至高階手機市場,UFS採用率有望於年底翻倍、達到15%;待驍龍660等專攻平價機種的應用處理器(AP)上路,亦有機會搭上順風車、於2018年衝上三成。即便手機外的應用更是有待發展,包括Qualcomm與微軟合作之Windows 10筆電、與Google合作之Daydream VR裝置,加上三星近來力圖將UFS推廣至中國無人機產業等作為來看,不無可能為UFS發展增添更多柴火。不過他也強調,待NAND快閃記憶體晶粒供給舒緩,UFS才會出現較明確的市場走向。

另一方面,因應無人車帶起的龐大數據量處理需求,特別是針對攝影機等感測器部分,UFS在車載方面亦受不少車商與記憶體標準組織JEDEC關注。據謝逸群觀察,部分車廠已開始將UFS搭配固態硬碟(SSD)與嵌入式多媒體記憶卡(eMMC)使用,特別應用於處理64GB至256GB區間的數據量;待去年底三星收購汽車零組件廠哈曼(Harman),顯露挑戰車載市場的意圖後,JEDEC亦偕同歐洲各大車廠開始研究相關標準,期望在2019年有所成果。

做為eMMC的潛在替代方案,UFS採3D NAND技術、MIPI聯盟制定的M-PHY介面,以全雙工模式傳遞數據,效能上的升級十分顯著;由於傳輸時間極短,耗能並未因為PHY的實體層增加,功耗表現也優於eMMC。謝逸群表示,JEDEC目前正著手進行制定UFS 3.0規格,若以高速GEAR 4(High Speed GEAR 4)、雙通道(2 Lane)介面而言,其頻寬可達23.2 G、堪比PCIe介面;現階段UFS記憶體以手機為主、PCIe記憶體則專攻電腦,不過兩者未來在部分灰色地帶的領域應用上有可能會強碰。

內嵌記憶體市場外,搭上東京奧運帶動的8K錄影風潮,UFS記憶卡發展同樣值得關注。謝逸群透露,礙於Galaxy目前使用之高通AP規格不支援,三星無法將自家UFS記憶卡用於該系列手機,導致其他手機廠商存疑、推廣頻頻受阻。不過,新一代三星UFS記憶卡將於下半年發布,能支援此規格的高通新AP則預計於明年量產,屆時Galaxy新型號如支援UFS記憶卡,可望成為一大助力;此外,三星甚至免除其開發上的權利金,以求加速推廣。

UFS是針對高階影像處理需求設計,與eMMC、SD記憶卡互有取代效應,可惜受限於產能不足為主的諸多阻力,整體發展得端看三星、高通等領導廠商的狀況,可能得到來年才有較明確的走向。現階段,為滿足各種儲存需求,慧榮仍持續供應各規格的記憶體控制器及解決方案;特別是因應記憶卡運算效能提升、導致低階手機廠逐步降低內存記憶體容量的市場趨勢,近日更是推出支援SD 6.0規格的SD控制晶片解決方案。

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