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格羅方德發布7奈米FinFET製程技術

發布日期:2017/06/19 關鍵字:EUV7奈米晶片7LP

格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)近日宣布推出其具有7奈米(7nm Leading-Performance, 7LP)的FinFET製程技術,其40%的跨越式性能提升將滿足諸如高階移動處理器、雲端伺服器網路基礎設備等應用需求。

格羅方德 CMOS業務部資深副總裁Gregg Bartlett表示,該公司的7奈米FinFET製程技術正在按照計畫開發,預期在2018年計畫宣布的多樣化產品對客戶將有強大吸引力。在推動7奈米晶片於未來一年中實現量產的同時,該公司正在積極開發下一代5奈米及其後續的技術,以確保客户能夠在走在最前端使用領先技術。

2016年9月,該公司曾宣布將充分利用其在高性能晶片製程中的技術,來研發自己7奈米FinFET製程技術的計畫。由於晶體管和工藝水平的進一步改進,7LP技術的表現遠高於最初的性能目標。與先前使用14奈米FinFET技術的產品相比,預計面積將縮一半,同時處理性能提升超過40%。目前,在格羅方德紐約Fab8晶圓廠內,該技術已經做好了為客戶設計提供服務的準備。

該公司為了加快7LP的量產進度,正在持續投資最新的研發設備能力,包括在今年下半年首次購入兩組極端紫外線(EUV)光刻工具。7LP的初始量產提升將依賴傳統的光刻方式,當具備批量生產條件時,將逐步使用EUV光刻技術。

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