熱門關鍵字:NB-IoT | AI | 智慧車 | 工業4.0

訂閱電子報

立刻輸入Email,獲取最新的資訊:

收藏功能:
分享報新知:
其他功能:

兼具效能與低損耗 新一代SiC二極體優化系統

文‧Omar Harmon/Thomas Basler/Fanny Bjork 發布日期:2017/07/13

當今太陽能、不斷電系統(UPS)或能源儲存應用中,單相或三相變頻器需要高效能、小尺寸設計,以及更長時間的耐用性。上述應用中的變頻器在以1,200V運作時,會受到矽裝置高動態損耗的限制。雖說採用600V/650V裝置的替代性設計可部分提高效率,這種設計的代價是需要較複雜的拓撲,包括特殊的控制機制與較多的組件。

碳化矽(SiC)肖特基二極體沒有真正的逆復原電荷。因此,藉由1,200V SiC二極體與1,200V矽(Si) IGBT的混合組合,可減少二極體的關斷損耗、大幅降低Si IGBT的開通損耗,以提供更簡單的二階拓撲。上述組合中,SiC二極體的靜態損耗通常會限制Si IGBT/SiC二極體解決方案最佳化的潛力,為克服此限制,全新第五代二極體具較低的正向電壓,其溫度相依性亦可降低靜態損耗。裝置設計與組裝技術的持續創新下,二極體得以持續提升效能、可靠性及成本優勢,藉此更容易實現高效率、可靠性及強大變頻器設計的系統。

矽PIN二極體是雙極性裝置,依據少數電荷載子的注入而定,而此載子的特性為大量的逆復原電荷。在二極體導通狀態時,電荷載子將會注入裝置中,必須從裝置予以移除,然後才能阻斷電壓,換言之就是建立空間電荷區域。較高的電荷載子濃度將導致較高的逆復原電荷。另外,逆復原電荷依據正向電流與裝置的接面溫度而定。使用SiC肖特基二極體做為多數載子裝置的優點在於,它們幾乎是零逆復原電荷。

》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
研討會專區
熱門文章