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專訪英飛凌工業電源控制事業處總裁Peter Wawer SiC元件帶來電源設計新時代

文‧黃繼寬 發布日期:2017/09/17 關鍵字:英飛凌SiC元件Infineon電源設計

過去幾年來,碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)等新型化合物半導體的成長十分顯著。而近期SiC電晶體製造成本的進一步改善,則是一個新舊時代的分水嶺,也是 SiC功率半導體的轉捩點,因為相關元件可望成功量產,並實作於各種應用的電子設計中。

英飛凌(Infineon)工業電源控制事業處總裁Peter Wawer指出,隨著SiC的價格降低及供應增加,電源設計人員對此產生了新的需求:他們面臨法規和商業要求下的壓力,一方面必須提升能源效率,同時還要不斷壓低系統成本,以滿足市場永無止境的期望。

相較於其他電路元件,高功率和高電壓功率轉換器較難微型化,因為這類元件的熱密度更高,散熱考量使得元件微型化遇到相當大的阻礙。不過,電力電子應用採用SiC元件,可實現更佳的功率密度和效率,進而一舉突破矽MOSFET、IGBT及二極體的限制,創造更多可能性。這是SiC元件真正的價值所在。

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