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半導體製程線寬持續微縮 汙染物過濾考驗大

文‧陳妤瑄 發布日期:2017/09/22 關鍵字:EntegrisSEMICON TaiwanEUV光微影技術

半導體製程不斷微縮,讓新一代晶片的性能、功耗得以有更好的表現,但製程微縮卻也使得製程中的汙染物控制受到更嚴格的考驗。對此,特用材料供應商英特格(Entegris)近期發表Oktolex薄膜技術,其針對各種化學品的需求,強化各種薄膜原本的攔截機制,進而使該薄膜技術得以過濾光化學汙染物,目前主要市場鎖定在邏輯、DRAM和3D NAND裝置的ArF、KrF和EUV光微影技術。

英特格總經理謝俊安表示,隨著奈米製程的精進與EUV的導入,讓半導體的製程變得更為複雜,在控制汙染粒子(Particles)方面,也顯得更為困難。當半導體製程線寬變得越來越小,原本不會對製程造成影響的汙染粒子,如今也必須設法控制,才能確保半導體製造的良率。而英特格提供的解決方案,便致力於防止這些汙染粒子跑到線路上。舉例來說,過去英特格僅須控制20奈米大小的汙染粒子,但在製程越做越小的情況下,現在英特格必須設法控制10奈米,甚至更細小的汙染粒子,因此相對應的技術都必須隨之提升。

此外,先進製程的曝光次數增加,也使得汙染控制變得更為複雜。相較於以往28奈米製程僅須使用浸潤式曝光機(Immersion Scanner)進行1次曝光,10奈米製程的曝光次數已經提高為4次。

有鑑於此,英特格近日在SEMICON Taiwan展會上,發表創新的Oktolex薄膜技術,這項技術可應用在先進的使用點光微影技術上。Oktolex革命性的薄膜可針對各種化學品的需求,強化各種薄膜原本的攔截機制,以過濾光化學汙染物。Oktolex 薄膜將薄膜特性,與特定汙染物的吸收機制作匹配,進而可將薄膜的過濾效能最佳化,且不會與化學品的組成產生不良反應。

英特格微汙染物防治部資深副總裁兼總經理Clint Haris表示,我們打破傳統,開發出更乾淨、速度更快且更有效率的方式,來過濾多數高挑戰性的汙染物,這種針對特定汙染物控制需求的特殊方法,可用在邏輯、DRAM和3D NAND裝置的ArF、KrF和EUV應用上。

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