10奈米及7奈米等先進製程節點帶動極紫外線(EUV)設備持續成長，看好未來潛在商機，半導體設備大廠艾司摩爾(ASML)也加速布局腳步，提升EUV設備出貨量，計畫於2018年達到出貨20台，2019年出貨30台以上EUV設備的目標。
ASML總裁暨執行長Peter Wennink表示，該公司的第一季營收超出預期，主要原因除了來自於客戶對於深紫外光(DUV)微影系統和全方位微影方案(Holistic Litho)的需求外，還有EUV的業務持續成長。ASML於2018年第一季完成3台EUV系統的出貨，另1台正準備出貨中；且同時於第一季獲得9台EUV設備–NXE:3400B的訂單。
Wennink進一步說明，種種跡象來看，該公司看到了EUV設備於2018年的良好開局，而該公司也認為EUV業務於2018年將會持續穩健成長，無論是銷售額或是盈利。
ASML日前公布2018年第一季財報，第一季營收淨額(Net Sales)為22.9億歐元，淨收入5.4億歐元，毛利率(Gross Margin)為48.7%。預估2018第二季營收淨額將落在25~26億歐元之間，毛利率約為43%，反映EUV營收將大幅增加。
Wennink指出，已有許多客戶公開討論將於2018年底前採用EUV進行晶片量產。為滿足此一需求，該公司計畫在2018年完成20台EUV系統出貨，並在2019年將EUV出貨量拉升到30台以上，協助客戶達成量產目標。
同時，Wennink透露，該公司也已經從三個主要客戶接到了下一代高數值孔徑(High-NA)的EUV設備訂單，且售出了8個High-NA EUV系統的優先購買權(Options)。
據悉，High-NA是EUV微影技術的延伸，其解析度(Resolution)和生產時的微影疊對(Overlay)能力比現有EUV系統高出70%，以實現未來產業對於幾何式晶片微縮(Geometric Chip Scaling)的要求。
另一方面，ASML也繼續提升EUV技術的吞吐量(Throughput)；在一個客戶端的測試中，可達到每小時曝光125片晶圓的量產里程碑，同時在ASML的實驗室中也展現每小時曝光140片晶圓的能力。
至於在全方位微影方案上，ASML第一季已完成採用多重電子束技術(Multiple e-beam)的圖案缺陷量測(Pattern Fidelity Metrology)系統–ePfm5出貨。該系統是ASML收購漢微科後共同研發的產品，具備更高的解析度以檢測系統缺陷。
這項創新的電子束量測系統和ASML的運算式微影(Computational Lithography)軟體結合，能夠在實際製造晶片的過程中，即時提供電子束的反饋給微影系統；而ASML也已經證實多重電子束能夠進一步提升電子束量測的產能，應用於量產階段。
