克服多重圖案成型挑戰 全方位製程控制方案露頭角

作者: Brian Trafas
2015 年 06 月 30 日
半導體產業已發展到以多重圖案成型和間隙壁分割等創新技術,來克服浸潤式微影系統的193奈米解析度屏障。這些技術之所以被廣泛的使用,是由於遲遲無法採用現在被視為適用於7奈米設計節點的極紫外光(EUV)曝光機。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

特別報導:RFID技術及應用發展研討會實錄 RFID將改變商業管理模式

2005 年 09 月 08 日

標準/非標準技術並進 Nordic低功耗RF方案問世

2007 年 09 月 13 日

中國大陸LED路燈標準醞釀定案<br>台灣LED路燈廠商蓄勢待發

2009 年 07 月 27 日

專訪微軟嵌入式事業部全球專案管理總監Ben Smith 嵌入式系統整合Win 8受矚目

2011 年 12 月 29 日

專訪智慧電源科技協理黃國展 15W無線快充提高產品吸引力

2017 年 06 月 29 日

【填資料抽好禮】無痛輕鬆上手業界最佳DC-DC電源解決方案!

2021 年 07 月 03 日
前一篇
專訪Altera全球業務開發總監Patrick Wadden 數位電源躍居FPGA SoC設計新寵
下一篇
安立知新一代向量網路分析儀兼顧性能與成本