氮化鎵(GaN) MOSFET已經開始在電源應用發酵。不過，受限於驅動器、控制器仍採用CMOS製程，因此氮化鎵MOSFET的威力還無法完全釋放。為此，電源晶片新創公司Navitas以全氮化鎵電源晶片作為挑戰題目，並已成功開發出整合電源管理電路、驅動器與MOSFET的晶片解決方案。此外，該公司為了展示全氮化鎵方案的優勢，還推出外觀尺寸僅2.7立方英吋，重量60公克，輸出功率卻可達65W的USB-PD電源參考設計。
Navitas執行長Gene Sheridan表示，AC/DC電源供應器自40多年前逐漸從線性架構升級為交換式架構後，便一直處於漸進式創新，轉換效率和功率密度提升的速度都相當緩慢。氮化鎵是促成電源供應器二次革命的重要推手，在未來10年內，300W以下AC/DC電源供應器的效率提升到95%，甚至99%，都將不成問題。
氮化鎵與碳化矽(SiC)在電源應用領域，是備受矚目的明日之星。特別是氮化鎵，由於製程與標準CMOS較為接近，成本跟量產難度較低，因此以氮化鎵為基礎的MOSFET已開始陸續應用在手機、平板等行動裝置的電源供應器上。
不過，MOSFET只是電源系統中的元件之一，驅動器、電源控制器等其他核心元件，還是由CMOS製程生產，這使得目前的交換電源設計難以完全發揮氮化鎵MOSFET的所有潛力。核心團隊來自前國際整流器(IR)的電源管理晶片新創設計公司Navitas，遂提出在單一氮化鎵元件中整合MOSFET、驅動器與電源管理邏輯的構想，並已成功推出晶片樣品及應用參考設計。
將MOSFET、驅動器與電源控制邏輯電路整合在單一氮化鎵晶片上，不僅可以讓應用設計大幅簡化，而且也完全釋放了氮化鎵MOSFET的潛力–不僅開關速度更快，而且運作時也更可靠。
Navitas業務暨行銷副總裁Stephen Oliver說明，由於氮化鎵MOSFET的閘極相對脆弱，如果驅動方式不正確，容易造成MOSFET毀損。這是目前氮化鎵MOSFET在應用上所遇到的難題之一。將MOSFET與驅動器整合在一起，可以降低導通電阻，進而減少不當驅動造成MOSFET損壞的風險。
為了展示全氮化鎵電源晶片的潛力，Navitas除了晶片外，亦開發出一款支援USB-PD規範的65W電源供應器參考設計。該電源供應器號稱是目前全球體積最小、重量最輕的65W電源，外觀尺寸僅2.7立方英吋，重量則為60公克。
Sheridan透露，該參考設計所使用的晶片將在2018年第一季開始量產交貨，預計到第二季時，就能看到客戶的終端應用產品現身。
