半導體製程不斷微縮，讓新一代晶片的性能、功耗得以有更好的表現，但製程微縮卻也使得製程中的汙染物控制受到更嚴格的考驗。對此，特用材料供應商英特格(Entegris)近期發表Oktolex薄膜技術，其針對各種化學品的需求，強化各種薄膜原本的攔截機制，進而使該薄膜技術得以過濾光化學汙染物，目前主要市場鎖定在邏輯、DRAM和3D NAND裝置的ArF、KrF和EUV光微影技術。
英特格總經理謝俊安表示，隨著奈米製程的精進與EUV的導入，讓半導體的製程變得更為複雜，在控制汙染粒子(Particles)方面，也顯得更為困難。當半導體製程線寬變得越來越小，原本不會對製程造成影響的汙染粒子，如今也必須設法控制，才能確保半導體製造的良率。而英特格提供的解決方案，便致力於防止這些汙染粒子跑到線路上。舉例來說，過去英特格僅須控制20奈米大小的汙染粒子，但在製程越做越小的情況下，現在英特格必須設法控制10奈米，甚至更細小的汙染粒子，因此相對應的技術都必須隨之提升。
此外，先進製程的曝光次數增加，也使得汙染控制變得更為複雜。相較於以往28奈米製程僅須使用浸潤式曝光機(Immersion Scanner)進行1次曝光，10奈米製程的曝光次數已經提高為4次。
有鑑於此，英特格近日在SEMICON Taiwan展會上，發表創新的Oktolex薄膜技術，這項技術可應用在先進的使用點光微影技術上。Oktolex革命性的薄膜可針對各種化學品的需求，強化各種薄膜原本的攔截機制，以過濾光化學汙染物。Oktolex 薄膜將薄膜特性，與特定汙染物的吸收機制作匹配，進而可將薄膜的過濾效能最佳化，且不會與化學品的組成產生不良反應。
英特格微汙染物防治部資深副總裁兼總經理Clint Haris表示，我們打破傳統，開發出更乾淨、速度更快且更有效率的方式，來過濾多數高挑戰性的汙染物，這種針對特定汙染物控制需求的特殊方法，可用在邏輯、DRAM和3D NAND裝置的ArF、KrF和EUV應用上。
