多重曝光微影(Multi-patterning Lithography)技術發展跨入新的里程碑。半導體微影設備大廠艾司摩爾(ASML)宣布，首部支援多重曝光技術的浸潤式微影機台TWINSCAN NXT:1980Di，無論疊對(Overlay)精準度或對焦一致性表現，皆已能滿足下世代邏輯和動態隨機存取記憶體(DRAM)的先進製程要求，日前已正式出貨。
ASML深紫外光(DUV)產品行銷資深副總裁Bert Koek表示，半導體製造商不論是要採用多重曝光技術，抑或是計畫導入極紫外光(EUV)微影系統，都會讓製程複雜度攀升，因此提升浸潤式微影曝光的效能等級，是進入先進半導體製程的必備條件。
Koek進一步指出，NXT:1980Di在疊對、對焦控制及生產力等表現均大幅躍進，可為晶片製造商提供一個合乎成本效益的解決方案，從而延長浸潤式微影系統的使用週期，最終達到延續摩爾定律的目標。
NXT:1980Di機台具備新的格點校正功能，以及讓半導體製造商在下世代製程節點達到更緊密製程窗口的硬體設計，其指定載台疊對精度(Dedicated Chuck Overlay)達1.2奈米，對焦一致性優於10奈米；整體吞吐量也提高10%，達每小時275片晶圓。
據了解，在1x奈米以下的製程節點，晶片製造商期望同時使用浸潤式微影和下世代EUV微影技術，而這將使系統對疊對的要求更加嚴格；而NXT:1980Di是特別設計來符合這種混合式系統架構，並與EUV相互匹配，可達到約2奈米的匹配機器疊對精度。
目前NXT:1980Di已可供貨給客戶；而所有TWINSCAN NXT:1970Ci系統皆可於安裝現場直接升級至NXT:1980Di的效能等級。ASML也提供舊款TWINSCAN NXT機型升級方案，進一步提高半導體製造商的資本投資效益。此外，ASML還提供NXT:1980Di附加功能，如對比強化型校準感測器(Alignment Sensor)，以進一步增強疊對精度，滿足獨特應用需求。
