安森美推出其第一代基於1200V碳化矽(SiC)金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)的SPM 31智慧功率模組(IPM)系列。與使用第7代場截止(FS7) IGBT技術相比，EliteSiC SPM 31 IPM在超緊湊的封裝尺寸中提供超高的能效和功率密度，從而實現比市場上其他解決方案更低的整體系統成本。這些IPM改進了散熱性能、降低了功耗，支援快速開關速度，非常適用於三相變頻驅動應用，如AI資料中心、熱泵、商用暖通空調(HVAC)系統、伺服電機、機器人、變頻驅動器(VFD)以及工業泵等應用中的電子換向(EC)風扇。
隨著電氣化和人工智慧應用的增加，尤其是更多AI資料中心的建設提升了能源需求，降低該領域應用的能耗變得愈發重要。在這一向低碳排放世界轉型的過程中，能夠高效轉換電能的功率半導體發揮著關鍵作用。同時，資料中心對EC風扇的需求也將隨之增加。這些冷卻風扇可為資料中心的所有設備維持理想的運行環境，對於準確、無誤的資料傳輸至關重要。SiC IPM可確保EC風扇以更高能效可靠運行。
與壓縮機驅動和泵等許多其他工業應用一樣，EC風扇需要比現有IGBT解決方案更高的功率密度和能效。透過改用EliteSiC SPM 31 IPM，客戶將受益於更小的尺寸、更高的性能以及因高度整合而簡化的設計，從而縮短開發時間，降低整體系統成本，並減少溫室氣體排放。例如，與使用當前IGBT功率整合模組(PIM)的系統解決方案相比，在70%負載時的功率損耗為500W，而採用高效的EliteSiC SPM 31 IPM可使每個EC風扇的年能耗和成本降低52%。
完全整合的EliteSiC SPM 31 IPM包括一個獨立的上橋閘極驅動器、低壓積體電路(LVIC)、六個EliteSiC MOSFET和一個溫度感測器(電壓溫度感測器(VTS)或熱敏電阻)。該模組基於業界領先的M3 SiC技術，縮小了裸片尺寸，並最佳化了硬開關應用，採用SPM 31封裝可提高短路耐受時間(SCWT)，適用於工業用變頻電機驅動。MOSFET採用三相橋式結構，下橋臂採用獨立源極連接，充分提高了選擇控制演算法的靈活性。
