EV Group(EVG)宣布推出EVG880 LayerRelease系統，這是一個結合EVG創新的紅外線(IR) LayerRelease技術的量產(HVM)設備專屬平台。EVG880 LayerRelease系統的製程產出量為前一代平台的兩倍，可以使用紅外線雷射結合特殊配製的無機層，讓已經完成接合、沉積或長晶的薄膜，能在奈米級精度下利用紅外線雷射從矽載具釋放任何超薄的薄膜。因此，EVG880 LayerRelease系統免去使用玻璃基板的需求，實現超薄小晶片的堆疊，同時也為前端製程促成超薄的3D薄膜堆疊，包括先進的邏輯、記憶體與功率元件的成形，以支援未來3D整合的產品發展藍圖。
在3D堆疊過程中，以玻璃基板加上有機接著劑實現臨時接合，進而建構元件層，已經是很普遍的加工流程。在這個過程中，製造商會使用紫外線(UV)雷射來溶解黏合劑，把元件層釋放到最終晶圓產品上，再進行永久接合。然而，由於半導體的製造設備原本設計的主要考量是矽，因此用來加工玻璃基板難度較高，並且需要昂貴的升級才能實現玻璃基板的處理。此外，有機黏著劑通常僅限於攝氏300度以下的製程溫度，這也讓它在後端製程中的使用受到限制。
為解決這個問題，EVG的LayerRelease技術改用紅外線雷射與無機釋放材料，以便在生產環境中，以奈米級精度於矽載具上達成雷射剝離，並藉此避開這些溫度與玻璃載具相容性的問題。此一創新製程可以免去使用玻璃基板與有機黏著劑的需求，為超薄的薄膜轉移與下游製程促成前端的製程相容性。LayerRelease製程的奈米級精度允許在不改變原有的製程下對極端薄的元件晶圓進行加工。此類薄型元件層後續的堆疊能帶來更高頻寬的互連，並為次世代高效能系統的晶粒設計與切割開啟各種全新契機。
LayerRelease技術的溫度相容性可達攝氏1,000度，能支持最嚴苛的前端製程；而室溫紅外線雷射切割步驟則可確保元件層與載具基板的完整性。薄膜釋放製程同時也消除了載具晶圓研磨、拋光與蝕刻相關的昂貴溶劑的需求。
全新EVG880平台已整合LayerRelease技術，是完全為LayerRelease製程設計與專用的。這是一款全自動化、與前端相容的量產平台，同時具備整合式雷射曝光、晶圓切割與晶圓清洗的三合一工具。EVG880搭載維修簡易的雷射光源和完整的工藝控制，具有在使用點進行雷射計量的功能。
EV Group執行技術總監Paul Lindner表示，3D整合在最佳化功耗、效能、面積與成本(PPAC)指標方面，扮演的角色越來越重要。要實現3D整合，晶圓鍵合或薄膜釋放是不可或缺的製程步驟。EVG的LayerRelease技術是一種真正獨特且通用的薄膜釋放技術，已經獲得領先業界的研究機構及元件製造商採用，以支援從先進封裝到3D整合，再到未來前段製程微縮的各種應用。隨著最早採用LayerRelease技術的客戶預計很快將從工業研究推進至製造階段，EVG已經開始更加專注在提升這項技術的生產力並降低擁有成本。我們很高興現在能夠在我們全新的EVG880量產設備平台上提供這項創新的技術，讓客戶能夠快速應用LayerRelease工藝於他們當前和下一代的產品設計中。
