著眼於未來先進長程演進計畫(LTE-Advanced)世代，射頻前端(RF Front-end)的角色將愈來愈重要，高通(Qualcomm)繼推出RF360射頻前端產品系列方案後，近期再度出手購併互補式金屬氧化物半導體(CMOS)功率放大器(PA)供應商Black Sand，藉以強化RF360方案競爭力。
高通產品管理資深副總裁Alex Katouzian表示，該公司不斷精進RF360系列方案性能，將使消費者和原始設備製造商(OEM)共同受益於這些創新，並得以實現小尺寸、低功耗同時可全球漫遊的LTE裝置。
隨著通訊產業朝向LTE-A發展，手機除須支援多個頻段外，採用功率放大器的數量亦隨之增加，致使既有採用砷化鎵(GaAs)製程的功率放大器產能供不應求。而採用CMOS製程的功率放大器，因原料成本相對較低，同時其效能亦可滿足LTE應用要求，再加上由Black Sand所開發出的產品在功能與腳位上均可相容於GaAs方案，因此行動裝置製造商可輕易進行技術轉移，遂使該方案迅速於RF市場中竄紅。
藉由整合Black Sand的技術與人才，高通預期將能對RF360系列產品進行強化，以增加其COMS功率放大器優勢與支援頻段範圍，並加大與其他廠商的競爭差距。
據了解，此波購併動作雙方皆尚未進行公開說明，但在Black Sand官網上已發布訊息證實該公司於6月18日併入高通。Black Sand為一家無晶圓廠半導體公司，提供以矽(Silicon)材料為基礎的無線解決方案；其主要產品為兼具高功率及低功耗的3G CMOS功率放大器，並能支援多種頻段。
