快捷半導體(Fairchild Semiconductor)升壓開關產品FDFME3N311ZT將可協助提高手機、醫療、可攜式和消費性應用設計中升壓轉換電路的效率。該元件結合了30伏特整合式N溝道PowerTrench MOSFET和肖特基二極體，具有極低的輸入電容(典型值為55pF)和整體柵極電荷(1nC)，以提升直流對直流(DC-DC)升壓設計的效率。
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| 快捷半導體近期發表新款升壓開關FDFME3N311ZT可實現高效率。 |
FDFME3N311ZT採用快捷半導體專有的PowerTrench製程技術，經由仔細優化動態性能來降低開關損耗。其肖特基二極體在過溫時的反向洩漏電流流量小，可以防止轉換器效率隨封裝溫度升高而降低。該元件的MicroFET™薄型封裝，並在其中整合了兩個離散式元件，不但能夠滿足緊湊型直流對直流(DC-DC)升壓設計的需求，而且與先前的升壓開關產品相比，還可節省36%的電路板空間。
FDFME3N311ZT提供30伏特的崩潰電壓，可為手機等應用驅動多達七個或八個白光發光二極體(LED)(實際數字取決於所選擇的LED和設計保護帶)。白光LED通常被用來當作手機等行動設備的顯示器的背光照明，一般以串聯方式連接，以確保每個LED具有相同的正向電流和亮度。以每個LED的正向電壓約為3～3.5伏特計算，使用這款升壓開關將有助於逐步提高現有的電池電壓。
這款升壓開關是快捷半導體多元化的MOSFET產品系列的最新成員，該產品系列具有寬廣的崩潰電壓(20～1000伏特) 範圍和先進的封裝技術等特點，能夠解決現今設計所面對到的各種複雜的功率和空間挑戰。
快捷半導體網址：www.fairchildsemi.com
