恩智浦(NXP)日前推出NextPower系列首款30伏特(V)Power-SO8金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)，此元件具低RDS(on)1.4毫歐姆(mΩ)4.5伏特MOSFET，鎖定4.5伏特開關應用使其最佳化，採用LFPAK封裝技術亦即最牢固的Power-SO8封裝。
恩智浦Power MOSFET行銷經理Charles Limonard表示，該MOSFET元件PSMN1R0-30YLC，其NextPower技術已特別針對高性能直流對直流(DC-DC)轉換應用進行最佳化，如獨立電源和電源OR-ing中的同步降壓調節器、同步整流器。
據了解，該技術特性與優勢在於Power-SO8封裝具高度可靠性，耐熱溫度高達175℃，超低QG、QGD和QOSS達成高度系統效率。目前PSMN1R0-30YLC已出貨，其為NextPower LFPAK系列中25伏特和30伏特MOSFET的首款產品，全系列產品未來將陸續推出。
此外，恩智浦NextPower系列MOSFET將協助設計者達成高性能/效率、小尺寸和低系統成本。PSMN1R0-30YLC擁有領先同類型元件的超低RDS(on)，可明顯降低功耗，並進而提升新一代電子產品的能源效率，達成更高的能源等級(Energy Rating)及更小的尺寸。
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