意法推出新款射頻LDMOS功率電晶體

2021 年 08 月 23 日

意法半導體(ST)所推出的STPOWER LDMOS電晶體產品家族最近新增數款產品,該產品家族有三個不同的產品系列,皆可針對各種商用和工業用射頻功率放大器(PA)進行最佳化設計。

STPOWER LDMOS的產品特色為高效能和低熱阻,封裝晶片可處理高射頻功率的封裝,兼具短傳導通道和高崩潰電壓,這些特點使射頻功率放大解決方案具備成本效益、低功耗和高可靠性等優勢。

新STPOWER LDMOS IDCH和IDDE兩個系列是28V/32V共源N通道加強式橫向擴散金屬氧化物場效應射頻功率電晶體,並擴大了產品的目標應用範圍。IDCH系列的輸出功率為8W到300W,為最高作業頻率4GHz的應用而專門設計,包括2.45GHz工業、科學和醫療(ISM)設備、無線基礎設施、衛星通訊、航空電子和雷達設備。該系列LDMOS元件適用於所有類型的調製格式。

IDDE系列則包含10W-700W產品,用於最高頻率1.5GHz的商業、工業和科學寬頻通訊,可在所有相位承受10:1的負載電壓駐波比(Voltage Standing Wave Ratio,VSWR),適用於所有典型的訊號調製格式,亦適用於大多數類別的射頻功率放大,包括A類、AB類和C類。高效能表現可最大限度地減少達到目標輸出功率所需能量,降低運作成本和散熱量,簡化熱管理設計,以達到更緊湊的系統。

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