隨著東芝(Toshiba)、SanDisk與三星(Samsung)競相導入20奈米(nm)製程，儲存型快閃(NAND Flash)記憶體價格已下探至每GB達1.1美元，預期至2012年將跌至1美元以下，屆時，固態硬碟(SSD)市場需求將會首度超越動態隨機存取記憶體(DRAM)。
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| Gartner研究總監王端表示，NAND Flash業者導入更先進奈米製程已勢在必行，否則將逐步喪失市場競爭力，而慘遭淘汰。 |
市場研究機構Gartner研究總監王端表示，三星、海力士(Hynix)和爾必達(Elpida)旗下的DRAM或NAND Flash皆已朝25奈米技術邁進，因此價格競爭將更趨激烈，導致獲利幅度變小；目前DRAM價格已下殺至每GB達0.65美元；另一方面，東芝、SanDisk及三星已紛紛邁入20奈米製程，預估2012年NAND Flash價格將不及1美元，進而促使SSD正式取代DRAM。
Gartner研究副總裁Bryan Lewis分析，DRAM產業受個人電腦(PC)需求減少和價跌的衝擊甚深， 2011年營收將衰退26.6%；NAND Flash和特定應用積體電路(ASIC)在智慧型手機和iPad熱銷的帶動下，2011年市場規模急速增長，年成長率約達20%。
拜平板裝置(Tablet Device)、智慧型手機及固態硬碟(SSD)強勁需求所賜，2011年NAND Flash成長快速，王端認為，未來數年，NAND Flash的應用版圖將大於DRAM，因此未來DRAM產業每年營收將減少2%，然NAND Flash的營收年增長率將可達11%。
有鑑於NAND Flash前景可期，激勵NAND Flash製造商加碼投資，根據Gartner預估，2011年NAND Flash資本支出已高於DRAM，逼近100億美元，往後數年投資差距將會持續拉大。
儘管現階段DRAM整體產業較為悲觀，年複合成長率調降達2%，然對於行動(Mobile)DRAM的需求仍在，預計未來DRAM供應商將會把投資重心放在Mobile DRAM。王端指出，Mobile DRAM製程與DRAM相似，惟設計方法迥異。
