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| 美商豪威行銷部副總裁Bruce Weyer透露，美商豪威的CMOS影像感測器出貨量由2007年二億五千萬顆，大幅增長至2008年達四億五千萬顆；產值從約5.5億美元急速攀升至8億美元，成績亮眼。 |
在金融海嘯襲擊之下，美商豪威的出貨量與產值卻出現難得的逆勢成長態勢，獨占鰲頭，該公司能順利在不景氣環境中突圍的主因，除了受惠於照相手機、筆記型電腦、照相機及攝影機等熱門應用對於CMOS影像感測器的需求快速增溫之外，該公司持續投入的技術研發，亦扮演著舉足輕重的角色。
美商豪威行銷部副總裁Bruce Weyer觀察到，市面上照相功能產品的主流規格已由五百萬朝一千二百萬畫素推進，且對於產品輕薄化、影像品質要求更加嚴峻，加上網路影片分享風潮興起後，攝影需求亦快步升溫，因此高解析度、高影像品質、微型化與高感測度CMOS影像感測器已成為大勢所趨。
為能鞏固市場的龍頭地位，美商豪威於2008年5月宣布推出創新CMOS影像感測器架構OmniBSI，該架構顛覆傳統CMOS影像感測器的前面照度(FSI)設計，而採用背面照度(BSI)技術，其顛倒高整合度單晶片CMOS影像感測器的上、下層，因此感測器可以直接通過原本是感測器底層的矽基收集光線，突破過去FSI對於矽基吸收光線的限制，以優化光線吸收，並增高主光線角度，能實現更短的鏡頭高度，從而支援更薄的相機模組，因此聲稱能提供最佳化的微光敏感度，及在出色的影像品質下，畫素尺寸可縮小至0.9微米，為該公司數位影像技術不斷小型化的關鍵。
此外，美商豪威製程副總裁Howard Rhodes強調，根據現行設計規則，將FSI畫素架構縮小至1.4微米或以下帶來巨大的挑戰，因為金屬線和電晶體正不斷使畫素光圈接近其物理極限–光的波長，若欲利用傳統FSI技術解決此一問題，須使用65奈米銅製程技術，而此將會大幅增加生產的複雜性和成本。而美商豪威透過長期代工及製程技術合作夥伴台灣積體電路製造(TSMC)的技術支援下，開發OmniBSI架構，並能採用0.11微米的低成本製程技術生產高整合度單晶片CMOS影像感測器，有利於提高成本競爭力。
市調公司TSR資料顯示，2006年始，CMOS影像感測器出貨量已正式超越CCD影像感測器，且成長率直線攀升，預估從2008年的十億七千七百二十萬顆可增長至2012年將達十八億顆，2006～2012年年複合成長率(CAGR)達14.6%；反觀CCD的出貨量將由2008年的一億八千一百五十萬顆，急遽下滑至2012年達一億七千一百七十萬顆，CAGR僅達0.1%。為搶攻CMOS影像感測器最大市占，Weyer表示，美商豪威將持續結合OmniBSI技術與TrueFocus影像訊號處理器開發新產品迎合市場要求，下世代產品將支援在三十個框速下，解析度高達1,080p的CMOS影像感測器，以滿足消費者手機相片、影片下載至電視共享的需求。
