晶片產品出籠 LTE-Advanced發展有譜

作者: 莊惠雯
2011 年 02 月 24 日

2011年美國拉斯維加斯消費性電子展(CES)及甫結束的全球行動通訊大會(MWC)中,除長程演進計畫(LTE)儼然為展場上一大亮點,初登場的LTE-Advanced也吸引不少目光,包括高通(Qualcomm)、安謀國際(ARM)等大廠紛紛發表進軍LTE-Advanced市場的產品藍圖,此亦象徵全球將正式邁入4G通訊時代。
 


MWC盛會可謂無線通訊技術發展的風向球。





3G晶片龍頭廠商高通雖然在LTE的發展有些許延遲,但高通在2011年MWC中,率先展出包括LTE-Advanced、HSPA+ Advanced(Rel. 10)等4G通訊技術,以及針對「物聯網」設計的物聯網模組,證明高通在4G市場的發展將不落人後。高通資深產品管理副總裁Cristiano Amon表示,藉2011年MWC,高通推出的MDM晶片組支援最新的行動寬頻技術,包括HSPA+ Rel. 9、分時同步分碼多重存取(TD-SCDMA)、EVDO,以及LTE分時多工(TDD)、分頻多工(FDD)等技術,資料傳輸速率可達下行150Mbit/s、上行50Mbit/s,為目前傳輸速率最高的LTE晶片組,也符合LTE-Advanced傳輸速率的門檻。
 



在LTE-Advanced技術的展示方面,高通利用增加超微型蜂巢式(Picocell)基地台的布建,讓既有的LTE系統性能可更上一層 ,Amon指出,當適應性資料通道干擾管理應用於異構網路,以及基於先進接收器的干擾消除時,可使傳輸性能有更大的提升,進一步達到國際電工學會(ITU)對於4G通訊定義的100Mbit/s傳輸速率的要求。Amon並強調,未來高通也將持續發展整合LTE與3G多模系統的Snapdragon處理器。
 



IP大廠安謀國際也宣布,包括高通、瑞薩電子(Renesas Eletronics)、三星(Samsung)、合肥東芯通信、邁威爾(Marvell)、Cognovo、ST-Ericsson、聯發科、博通(Broadcom)及Intel Mobile Communication(IMC)等合作夥伴,皆將持續與安謀國際攜手共進LTE及LTE-Advanced市場。安謀國際執行長Warren East表示,目前全球有95%的LTE基頻設計使用安謀國際架構處理器,此外,安謀國際更提供反向相容支援,使2.5G/3G能順暢運作於4G作業平台,以期能在LTE及LTE-Advanced等基頻傳輸技術方面持續占有一席之地。
 



隨著各家晶片大廠持續研發並推出產品,LTE-Advanced的發展將逐漸明朗化,不過,廠商普遍認為,LTE-Advanced的腳步仍待LTE市場成熟之際,才會接續發展,短期之內,業者將全力推動LTE。

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