溝槽式設計顯神威 SiC MOSFET效能/耐用度大增

2018 年 09 月 27 日
以SiC MOSFET為基礎的電源開關,在功率密度、效率及冷卻方面具有顯著系統效益,這是因為損耗遠低於Si-IGBT。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

利用PCI Express特性 SerDes順利整合於ASIC

2007 年 09 月 12 日

助力監控器取得可靠數據 iCoupler提升車用電池組安全

2012 年 11 月 15 日

金字塔生產製程方案襄助 製造商克服精密加工變量挑戰

2015 年 06 月 18 日

功耗調整/時機掌握雙管齊下 元件溫度偏差提升散熱幅度

2020 年 05 月 28 日

釐清無線干擾原因 藍牙傳輸測試解決影音不同步

2021 年 11 月 06 日

軟體導入比例節節高升 SBOM強化聯網車軟體安全性

2023 年 11 月 02 日
前一篇
揮軍臉部辨識市場 歐司朗首款VCSEL產品亮相
下一篇
ST GNSS模組採用Teseo晶片