瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布推出新款閘極驅動IC，以驅動絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)和碳化矽(SiC)MOSFET等用於電動汽車(EV)逆變器高壓功率元件。
閘極驅動IC是EV逆變器的重要元件，在用於控制的MCU與功率放大的IGBT和SiC MOSFET之間提供介接。在低壓域中接收來自MCU的控制訊號，並依據這些訊號快速開啟和關閉高壓域中的功率元件。為適用更高電壓的EV電池，RAJ2930004AGM內建3.75kVrms(kV均方根)隔離器，高於前一代產品中的2.5kVrms隔離器，可支援耐壓最高1200V。此外，新款驅動IC具有卓越的共模瞬態耐受性(CMTI)性能(150V/ns或更高)，可提供可靠的通訊和更好的耐受性，同時滿足逆變器系統所需的高電壓和快速開關切換速度。新產品在小型SOIC16封裝中提供了閘極驅動器的基本功能，使其成為高效能逆變器系統的極佳選擇。
RAJ2930004AGM可與瑞薩IGBT或其他製造商的IGBT和SiC MOSFET一起使用。除了牽引逆變器外，閘極驅動IC亦非常適合使用在各種功率半導體的應用中，例如車用充電器和直流/直流轉換器。為幫助開發人員快速將產品推向市場，瑞薩提供xEV逆變器套件解決方案，將閘極驅動IC與MCU、IGBT和電源管理IC相結合，並預計於2023年上半年發布整合了新閘極驅動IC的方案。
