瑞薩(Renesas)近期發表六款第8代G8H系列絕緣閘雙極電晶體(IGBT)新產品，可降低太陽能發電系統的功率調節器的轉換損耗，以及降低不斷電系統(UPS)的變頻器應用。新推出的六款產品版本為650 V/40 A、50 A、75 A，以及1,250 V/25 A、40 A、75 A，且第8代裝置的效能指數較第7代IGBT最高提升30%，有助於降低功率損耗並為使用者系統提升整體效能。
在太陽能發電系統中，當陽光透過太陽能面板產生的直流電(DC)通過變頻器電路轉換為交流電(AC)時，不可避免地會發生一些功率損耗。由於上述功率損耗大多數發生在所使用的功率裝置，因此降低IGBT的功率損耗將為使用者系統的發電效能帶來直接的正面效益。同樣地，對於伺服器機房與資料中心內的UPS系統而言，電力必須持續通過電源轉換器電路， IGBT效能是降低此功率損耗的關鍵。
為此，該公司運用其為功率轉換領域設計低功耗IGBT的專業技術，使第8代IGBT達到較佳化，並在程序結構中採用獨家的通道閘組態。相較於前代IGBT，新款產品可提供更快速的切換效能，其為IGBT效能指數的重要項目，同時藉由降低飽和電壓(Vce(sat))以減少導通損耗。
瑞薩網址：www.tw.renesas.com
