瑞薩電子(Renesas)開發全新28奈米嵌入式快閃記憶體技術。該技術可達更快的讀取與覆寫速度，且針對採用28奈米(nm)嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程技術的晶片內建快閃記憶體微控制器(MCU)所設計。
新技術利用記憶體單元電流的溫度依存性與周邊電晶體的可靠性是逆相關的事實，在字線增速電壓中加入負向的溫度依存性，使周邊電晶體的可靠性使用壽命提升十倍，並使隨機讀取速度從160增加至200MHz，可同時實現高速讀取作業與高可靠性的技術；此外，該技術可藉監控抹除速度並控制抹除作業，使最大抹除電壓在高速抹除時可受到抑制，以減輕層間介電質的抹除電壓應力
另外，新技術可藉將負反向偏壓附加至記憶體單元，以降低寫入脈衝持續時間，並可平行寫入多個快閃記憶體巨集，提升寫入速度，因此可達每秒2.0MB的寫入速度；由於預期未來eFlash記憶體覆寫週期計數將增加，如因OTA(空中安全下載)程式更新等，須將電源供應雜訊與EMI在覆寫作業時，對系統運作的影響降至最低，該技術採用展頻時脈產生(SSCG)做為產生快閃記憶體覆寫作業之高電壓的充電泵的驅動時脈，以可降低電源供應雜訊與電磁干擾(EMI)。
瑞薩網址：www.tw.renesas.com
