半導體解決方案供應商瑞薩電子(Renesas Electronics)發表RJK0222DNS及RJK0223DNS之開發作業，這兩款功率半導體採用超小型封裝，可使用於直流對直流(DC-DC)轉換器，供電給伺服器與筆記型電腦等產品之中央處理器(CPU)、記憶體與其他電路區塊。
此款功率半導體產品將一對功率金屬氧化物場效電晶體(MOSFET)整合至單一封裝之中，以供設計尺寸更小、安裝密度更高的DC-DC轉換器。此尺寸小、損耗低的第11代功率MOSFET採用先進製程生產，並具有兩大特色。其一是包覆在超小型封裝中，尺寸僅有3.2毫米×4.8毫米×0.8毫米(最大處)，因此相較於瑞薩電子先前的功率MOSFET產品，可將安裝面積降低至二分之一。其二是可提供95.2%的效率，有助於降低耗電量。
基地台、筆記型電腦、伺服器及繪圖卡等資訊與通訊裝置通常需要多個降壓DC-DC轉換器，因為這些裝置整合CPU、繪圖處理器(GPU)、記憶體裝置與特定應用積體電路(ASIC)等各種元件，而這些元件所需要的電源供應電壓均低於電池所供應的電壓。市場對於體積更小且更造型流線之資訊裝置的需求持續增加，因此對於體積更小、更薄、效率更高的DC-DC轉換器的需求也隨之增加。
為了因應上述需求，瑞薩電子此次開發的兩款功率裝置，均將一對MOSFET整合至一個超小尺寸的封裝中。而受惠於瑞薩電子在小尺寸封裝開發方面的專業技術，此設計並以瑞薩電子的超精細MOSFET技術，成功開發出高散熱封裝。
用於轉換電壓的一對功率MOSFET中，用於同步整流(低邊)的MOSFET整合晶片內建之蕭特基二極體。在DC-DC轉換器的停滯時間(Dead Time)，從功率MOSFET至蕭特基阻障二極體的電流切換越快，愈能降低功率損耗。另外功率MOSFET切換為開啟狀態時能有效抑制電壓突增(Voltage Spike)，因此可降低電磁雜訊。
瑞薩電子網址：www.renesas.com
