科銳(Cree)仍將視碳化矽(SiC)基板發光二極體(LED)為未來數年內產品發展主軸。儘管矽基氮化鎵(GaN)聲勢看漲並已導入量產，且科銳亦已投入矽基氮化鎵技術研發，不過看好SiC基板LED流明數和成本皆更勝矽基氮化鎵LED一籌，科銳仍將持續側重SiC基板LED晶片產品線部署，以積極搶攻更大的LED照明市場商機。
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| 科銳LED元件事業處產品應用工程部副總裁Mark McClear表示，科銳明年仍持續開發出新一代的SiC基板的LED晶片，以更高性價比爭取更多客戶群青睞。 |
科銳(Cree)LED元件事業處產品應用工程部副總裁Mark McClear表示，雖然標榜低成本優勢的矽基板來勢洶洶，不過，矽基板和氮化鎵LED架構差異又較藍寶石與氮化鎵LED組合更大，此將造成不一致性的問題更加嚴重，容易在生產過程中產生瑕疵，影響良率、可靠度及成本；此外，針對外界咸認多餘的8吋晶圓廠可挪為生產技術複雜性更高的矽基氮化鎵LED，這想法似乎太過樂觀。
McClear進一步說明，矽基氮化鎵LED標榜低成本的優勢，讓各界對其前景寄予厚望，但顯而易見的是，目前SiC或藍寶石基板LED僅須提高5%良率，其成本即可媲美6吋晶圓量產的矽基氮化鎵，不過若要改善矽基氮化鎵的高瑕疵率，以提高發光效率，則須耗費更龐大的資金、時間及人力調整材料與製程，而在包括Cree在內的全球四大LED晶圓廠每年斥資5億美元發展矽基氮化鎵LED研發之下，至今仍遲遲無法改善上述弊病，其技術難度已可見一斑。
另一方面，現階段藍寶石與SiC正力爭LED基板市場主流，然事實上，藍寶石與氮化鎵LED的結構差異甚大，導致不一致性高於SiC和氮化鎵的架構，藍寶石的瑕疵甚至高於SiC二至十倍，顯見現今SiC基板在亮度、良率、成本及可靠度已優於藍寶石基板。
此外，McClear補充，相較於藍寶石基板，SiC基板熱導性高出五十倍之多，達350W/mk，因此散熱性能更佳。
有鑑於此，面對後進者矽基板來勢洶洶，且藍寶石已站穩LED基板市場先占者地位之下，科銳仍自2002年即發表首款SiC基板LED晶片，爾後於2006年與2011年分別推出第二代和第三代SiC基板產品，近期再發布第四代的SiC基板LED晶片，其兼顧更高流明、更高良率、更小尺寸、更低成本等特性。
McClear強調，即便科銳擁有開發藍寶石基板、矽基氮化鎵LED晶片的技術，卻仍獨鍾SiC，並已完成生產SiC的垂直供應鏈整合，由於自製率已達90%，內部可控制成本；僅10%委外代工，因此生產成本更具競爭力，未來亦將持續投入SiC基板的LED晶片開發，並將SiC基板LED晶片成為重點產品線，以更高性價比的產品線，拱大在LED照明市占。
