聯電近期與IBM簽訂合作計畫，全力衝刺14和10奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)製程量產。不過，聯電也不忘記取當初發展0.13微米時，授權IBM方案卻面臨量產窒礙難行，反遭台積電大幅超前進度的教訓；此次在14/10奈米的合作僅將採用IBM基礎技術平台與材料科技，並將主導大部分製程研發，以結合先進科技和具成本效益的量產技術，避免重蹈覆轍。
聯電執行長顏博文表示，隨著IC設計業者對於更新、更先進技術的需求日益增高，聯電日前已宣布加入IBM 10奈米FinFET互補式金屬氧化物半導體(CMOS)技術聯盟，將與IBM協同努力，克服現階段的研發障礙。
事實上，格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)在14奈米FinFET製程發展方面，亦與IBM有相當密切的合作往來，因而引發業界對聯電難以突顯製程差異性的疑慮。此外，法人也憂心聯電和IBM共同推動0.13微米製程的失敗情形重演，更對IBM的前瞻製程科技抱持「中看不重用」的懷疑，擔心聯電無法在2015年的1x奈米FinFET市場爭取有利位置。
對此，顏博文回應，過去聯電在0.13微米落後對手肇因於未與IBM明確分工，因此，未來發展14和10奈米製程，聯電將導入IBM的FinFET基礎製程平台與材料科技，加速複雜立體結構的FinFET技術成形，同時根據客戶需求自行開發衍生性的量產方案，以結合兩家公司各自的技術能量，加快產品上市時程，並提高製程獨特性與市場競爭力。
據悉，聯電將積極爭取14/10奈米FinFET製程主導權，除持續擴充相關製程設備與驗證分析解決方案的第三方合作夥伴陣容外，今年規畫15億美元資本支出中，亦將投入三分之二建置28奈米以下製程，可見其高度看重FinFET技術投資。
顏博文進一步強調，相較於其他競爭對手投注大量資源發展20奈米製程，聯電將跳過此一製程節點，集中火力搶攻14奈米FinFET技術，並將同步啟動10奈米FinFET研究計畫，讓資本支出與研發資源發揮最大效益。
