突破寄生效應桎梏 7奈米FinFET製程技術不卡關

2015 年 07 月 02 日
智慧裝置不斷推陳出新,驅動半導體製程加速演進,然而鰭式電晶體(FinFET)從10奈米微縮至7奈米時,漏電問題將更為嚴重,成為一大技術關卡;比利時微電子研究中心(IMEC)已透過改善寄生效應的方式克服此一挑戰。
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