突破深次微米製程技術 DFM引領奈米IC設計新風潮

作者: 王智弘
2006 年 10 月 03 日
當製程技術進入90奈米後,半導體物理特性的變異,已非以往單靠晶圓廠或光罩廠的光學鄰近效應修正或相位移光罩等技術所能掌控,因而使得在設計初期即須考量後期製造問題的可製造性設計觀念開始萌芽,同時也為半導體產業鏈間的關係帶來新的轉變。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

IC委外生產「錢」景亮麗 二線晶圓代工業者加碼布局

2007 年 12 月 27 日

侵權/迴避設計不可輕忽 專利布局成顯學

2009 年 09 月 27 日

力拼彩色電子書主流 mirasol槓上E Ink

2012 年 03 月 01 日

專訪索思戰略銷售組銷售部專案總監顏國榮 索思積極布局廣電/OTT市場

2017 年 02 月 13 日

專訪索思未來戰略銷售組銷售部銷售專案總監張育豪 交換器IC克服核心叢集通訊瓶頸

2017 年 07 月 23 日

5G/WiFi無痕匯流 重塑企業無線網路

2025 年 04 月 01 日
前一篇
凌力爾特推出1.6伏特高精準運算放大器系列
下一篇
瑞薩將SH-Mobile系列應用擴充至手機之外