矽基氮化鎵(GaN-on-Silicon)LED即將商用問世。東芝(Toshiba)日前宣布，將於今年10月開始量產矽基氮化鎵白光LED，進一步強化該公司離散元件業務發展。該款LED係東芝與普瑞光電(Bridgelux)共同合作開發，尺寸僅1.1平方毫米，最大光輸出量達614毫瓦；預計將在東芝位於日本加賀市(Kaga)的8吋晶圓廠進行量產。
東芝企業副總裁暨半導體和儲存產品子公司執行副總裁Makoto Hideshima表示，在東芝與普瑞光電緊密的合作下，8吋矽基氮化鎵LED已達到最佳效能；未來，雙方將繼續追求更進一步的發展，以實現這項技術的商用目標。
據了解，東芝與普瑞光電自今年1月即已展開矽基氮化鎵LED的研發；結合普瑞長晶和LED晶片結構，以及東芝先進的矽製程技術，雙方已成功開發出最大光輸出達614毫瓦的原型晶片。東芝將以此成果為基礎，開始量產白光LED。
此外，東芝同時也入股普瑞光電，以共同在固態照明(Solid State Lighting)領域持續創新。普瑞光電執行長Bill Watkins指出，東芝與普瑞光電在矽基氮化鎵技術，及股權上的投資，將使雙方策略合作關係更為緊密，藉此達到讓固態照明在一般照明市場應用成本進一步下降的共同目標。
事實上，今年6月中，中國大陸業者晶能光電(Lattice Power)也宣稱已量產矽基氮化鎵LED晶片，其操作電流為350毫安培，發光效率已達每瓦120流明，主要鎖定室內、室外和可攜式照明應用，並已有二十多家客戶已開始導入設計。不過，該公司目前係以6吋晶圓進行生產，預計2013年將改用8吋晶圓製造。
Plessey則是另一家致力發展矽基氮化鎵LED的半導體商，但目前尚未發布量產消息。
相較於藍寶石基板、碳化矽基板技術，矽基氮化鎵LED具有材料特性佳、生產成本低、散熱性好、結構簡單等優勢，因而備受LED業界關注；但由於技術難度極大，製造良率一直難以達到量產水準。而今東芝與晶能光電的量產，無疑為矽基氮化鎵LED的發展，注入一劑強心針。
