群聯電子近日於 2017 年 SD 協會全球技術研討會上，介紹新推出可搭載東芝 64 層垂直儲存的 3D NAND(BiCS3)的技術 SD 5.1 A1 規範相容之 MaxIOPS 系列記 憶卡控制晶片 PS8131，相較於前一代 2D NAND 版本的產品，其效能速度快上 2 倍。
PS8131 支援群聯自主開發的最新科技 StrongECC 糾錯技術，更搭配了最新製程 3D TLC 的 NAND Flash，因此不但具備精簡及低功耗的設計特性，更能增加 3D NAND Flash 的可靠度，而此晶片容量支援將從 32G 至 256GB 皆可達到最佳化表 現。
該控制晶片提供高於前一代產品 2 倍的隨機寫入速度(從 500 IOPS 提升至 1300 IOPS)，並強化了控制晶片的硬體及韌體架構，而且不僅能相容於目前的 Android Marshmallow 作業系統，更能流暢支援最新的 Nougat 作業系統，與智慧行動裝 置的內存，透過嵌入式擴展儲存功能(Adoptable storage function)完美的整合運 作。
PS8131 在 Read/Write IOPS, PS8131 MaxIOPS+輕鬆達到 2000/1300，遠高於 SD 5.1 A1 規範的 1500/500，不但能為 Android 7.0/6.0 裝置的使用者，提供即刻擴充內 部記憶體儲存容量的便利性，更能完美的與行動裝置內存整合運作，以滿足日益 增加的高容量移動儲存需求的智慧型手機、平板電腦等新一代行動裝置擴充記憶 體儲存的需求。
