高功率密度的需求日益成長，因此推動了開發人員在其應用中採用1,500VDC系統規格，以提高每台逆變器的額定功率和降低系統成本。不過，1,500VDC型系統在系統設計上帶來更多挑戰，例如在高DC電壓下快速切換，這通常需要多層次拓撲，因此需要複雜的設計和相對較多的元件數量。為了解決這項問題，英飛凌(Infineon)宣布擴展其 CoolSiC產品組合高電壓解決方案，為新一代的光伏系統、電動車充電及儲能系統奠定基礎。
擴展的CoolSiC系列包括2kV碳化矽(SiC)MOSFET以及2kV SiC二極體，適用於高達1,500VDC的應用。全新SiC MOSFET透過單一封裝提供低切換損耗與高阻斷電壓，最能符合 1,500VDC 系統的需求。全新2kV CoolSiC 技術可提供低洩極-源極導通電阻 (RDS(on)) 值。另外，堅固的本體二極體適合硬切換控制。與1,700V SiC MOSFET相比，這項技術實現足夠的過電壓裕度，並使宇宙射線造成的FIT率降低10倍。此外，擴增的閘極電壓操作範圍使元件更易於使用。
新款SiC MOSFET晶片是以英飛凌最新推出的先進SiC MOSFET技術「M1H」為基礎。這項新技術可明顯擴增閘極電壓範圍，因此可改善晶片的導通電阻。同時，增加的閘極電壓範圍可對閘極控制閘極驅動電路雜散的電壓峰值提供高穩定性，即使在高切換頻率下，也不會受到任何限制。英飛凌提供一系列EiceDRIVER閘極驅動器，其功能性隔離可達2.3kV ，以支援2kV SiC MOSFET。
