為減少太陽能電力消耗，英飛凌(Infineon)領軍的NEULAND研究計畫將針對碳化矽(SiC)與矽基板氮化鎵(GaN-on-Si)，開發出適用於再生能源及其他適用領域的節能、低成本、簡易使用、高可靠度及相容於既有製造晶圓製造技術的功率半導體。
 |
| 台灣英飛凌協理田經曾指出，儘管產業界各自押寶SiC和GaN-on-Si，英飛凌仍不會改變並進研發的初衷。 |
台灣英飛凌協理田經曾表示，NEULAND研究計畫預定將於2013年中完成SiC和GaN-on-Si在省能/低成本、簡化下游應用使用、高穩定性與可承接現有晶圓製程技術四大項目探究，待四大項目成熟後，功率半導體產品即可望上市。
由於能源消耗量與日俱增，需要新的功率半導體材料以符合降低功率消耗的要求，加上SiC與GaN-on-Si兩大功率半導體材料在產業界各有擁護者，遂使英飛凌計畫主導，且在德國聯邦教育與研究部(BMBF)的資助下，發展利用寬能隙化合物半導體，提供高效能、低成本效益的創新再生能源電源裝置。田經曾強調，SiC及GaN-on-Si各有利基市場，因此英飛凌皆會深入研發，未來主要係使用在再生能源領域，初期則以太陽能為主力市場，同時亦會探索其他SiC、GaN-on-Si適用的應用市場。
現階段，結晶矽太陽能面板成本比重頗高，然發電效率僅20～30%，田經曾指出，逆變器占太陽能系統成本比例較小，然更節能的電源效率可達97～99%，故若將逆變器的損耗降低50%，則有助於太陽能系統市場普及度。由於太陽能面板發電效率已達極限，若欲提升1%的效率，耗費的資金高昂，遂使太陽能逆變器在系統的角色益發突顯，將成為功率半導體廠商兵家必爭之地。
目前NEULAND計畫已可減少光電逆變器能損達50%，此借助於SiC與GaN-on-Si製程的創新半導體元件，未來亦可用於桌上型與筆記型電腦、平面電視、伺服器、電信系統的開關式電源供應器零件。預期將有更多半導體業者爭相進駐此一領域。
