遵循三大基礎功夫 晶背FIB電路修補難度降

作者: 王俊興
2019 年 05 月 12 日
隨著摩爾定律,半導體製程從1微米(µm)、0.5微米、0.13微米不斷微縮到奈米(nm)等級,如此先進製程的電路修補,考驗FIB(Focused Ion Beam)實驗室的技術發展及應用能力。特別當製程來到16奈米以下的製程,封裝型式多數為覆晶技術(Flip...
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