2020下半年隨著DDR5標準釋出，產業內積極布局，並預估2021年可能成為DDR5發展的元年。日前三星(Samsung)宣布拓展DDR5 DRAM產品組合，推出採用High-K Metal Gate(HKMG)製程生產的DDR5記憶體顆粒，以及由此顆粒組成的512GB DDR5模組。DDR5提供超過DDR4兩倍的效能，最高可達7,200Mbps，可以協作超級電腦的高階運算效能及高頻寬工作負載、人工智慧(AI)、機器學習(ML)以及其他數據分析應用。
三星DRAM記憶體規畫/執行小組副總Young-Soo Sohn表示，三星是業界少數有能力用HKMG製程技術開發記憶體的企業。透過創新的DRAM製造，提供客戶高效能、低功耗的儲存方案，以滿足醫藥研究、金融市場、自動駕駛及智慧城市等應用的運算需求。
2018年三星的GDDR6即採用了HKMG製程，此次DDR5模組將採用過去用在邏輯製程的高階HKMG技術，有助於縮小DRAM架構，將絕緣層變薄，帶來更高的漏電流(Leakage Current)。透過用HKMG取代絕緣體，三星的DDR5能夠減少功率洩漏並提高效能，減少約13%的功耗，因此適用於日益重視能源效益的資料中心。
此次利用矽穿孔(Through Silicon Via, TSV)技術，在DDR5中可推疊8層16Gb的DRAM晶片，可提供最大512GB的容量。2014年三星首次在DRAM中採用TSV技術，推出256GB的伺服器模組。現階段，三星正在向客戶提供不同DDR5記憶體產品系列以進行認證，最終期望透過已通過認證的產品，加速AI/ML、百億億次(Exascale)運算、分析、網路連線即其他數據密集的工作負載。
