三星電子(Samsung Electronics)宣布開始量產運用40奈米製程技術完成的低功耗4Gb DDR3產品，藉此提高伺服器使用記憶體的總量至每一模組32GB，是基於2Gb元件的模組密度最高值的兩倍，並為資料中心(Data Center)、伺服器系統與高階筆記型電腦節省相當顯著的功率。
該公司記憶體行銷部門執行副總裁Dong-Soo Jun表示，在2009年7月首度推出40奈米級技術DDR3時，就已領先高密度、高效能DDR3的發展進程。如今，過了七個多月後推出超低功耗節能記憶體(Green Memory)，這個4Gb DDR3產品的密度是前一代的兩倍。在16GB的模組中，使用4Gb的模組可省下35%的功耗，以滿足客戶達到更高能源效率的設計需求。
三星電子的40奈米級技術節能DDR3是為了伺服器產品而進行最佳化，以提昇其能源效率的等級，得以遵循、甚至超越新的能源之星(Energy Star)功耗規定。4Gb DDR3的量產可提高伺服器使用記憶體的總量至每一模組32GB，是基於2Gb元件的模組密度最高值的兩倍。
三星電子網址：www.samsung.com
