聯電將全力衝刺40奈米(nm)晶圓代工業務。不同於台積電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)陸續宣布加速16或14奈米鰭式電晶體(FinFET)量產時程，積極卡位先進製程市場，聯電則先以擴大40奈米營收比重為主要發展重心，並將擴增高壓液晶顯示(LCD)驅動IC、嵌入式快閃記憶體等12吋晶圓利基型製程，強化營收主力。
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| 聯華電子執行長顏博文認為，聯電未來還有很大的發展空間，特別在40奈米製程方面將有亮眼的表現。 |
聯華電子執行長顏博文表示，通訊、運算設備及行動裝置對40奈米製程的需求仍非常強烈，因此持續提升40奈米製程研發能量，並擴充多元客製化產品陣容，才是聯電當前首要布局重點。至於28奈米以下先進製程，聯電也已擬好時程表，不會貿然進行大規模投資。
事實上，聯電積極拱大40奈米製程事業版圖的策略已開始奏效，該公司日前於2013年第一季法說會中繳出令人振奮的營運成績單，不僅40奈米以下製程營收比重從去年第四季的15%再攀高至18%，刺激晶圓出貨季增5%，營收年增5.8%，產能利用率也守在78%水準，優於去年底預估將滑落至75%的狀況。因此，該公司股價走勢也逐漸翻揚，並站上近7個月來的高點。
顏博文指出，晶片商庫存去化動作已於今年第一季告一段落，第二季可望重新啟動備貨計畫，尤其在各種通訊晶片對先進製程強勁的需求帶動下，聯電40奈米以下製程的營收占比更將超越兩成，晶圓出貨片數也將大幅成長12～14%，產能利用率則有望回到80%左右。
此外，聯電也將與客戶並肩作戰，推出更多客製化的製程技術平台，刺激營收成長，如近期已與飛索(Spansion)簽訂40奈米嵌入式快閃記憶體(Embedded Flash)製程合作計畫；並將部署65、55、45及40奈米利基型製程方案，搶攻新一代高解析度LCD驅動IC高壓製程，互補式金屬氧化物半導體影像感測器(CMOS Image Sensor)，以及智慧汽車(Smart Car)相關晶片製造商機。
至於28奈米以下先進製程則依公司藍圖逐步轉換生產線，並與客戶展開先期研發合作。顏博文強調，聯電28奈米SiON/POLY製程將在今年底貢獻個位數的總營收百分比，並將於明年首季轉換至更高效能、更低功耗的高介電係數金屬閘極(HKMG)方案，拉攏更多處理器客戶。2014年第三季則將發布14奈米FinFET的雙重曝光(Double Patterning)技術及設計定案(Tape Out)，隨後於2015年正式量產。
由於聯電上述規畫獨漏20奈米，因而也引發業界關注其是否將略過此一製程節點。對此，顏博文分析，28奈米HKMG係一具主導性、生命週期較長的製程方案，相形之下，20奈米可能成為非主流製程(Weak Node)，因晶片效能提升與投資成本效益不一定勝過直接導入14奈米FinFET，僅有一線處理器大廠為維持技術領先優勢才會計畫採用。也因此，聯電將視客戶需求發展20奈米，不會特別投注大量資源。
