受到邏輯晶圓廠與儲存型快閃(NAND Flash)記憶體製造商大舉加碼先進製程的激勵，微影(Lithography)掃描機大廠艾司摩爾(ASML)與極紫外光(EUV)雷射光源供應商西盟(Cymer)均已緊鑼密鼓展開量產用EUV微影掃描機台的相關研發工作，預計2012年可望率先用於22奈米製程節點的商用生產。
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| 西盟行銷暨微影應用副總裁Nigel Farrar表示，該公司在微影光源市場的占有率已高達67%以上。 |
西盟行銷暨微影應用副總裁Nigel Farrar表示，該公司今年所推出的第一代量產製造用EUV光源系統至今已出貨四台，其中三台係供應給艾司摩爾用於NXE:3100準量產型系列機台，一台則直接供應給亞洲區一級(Tier 1)記憶體製造商；預計2011年可滿足每小時產出一百片晶圓吞吐量(Throughput)的第二代光源將可順利問世，目標鎖定22奈米半間距(Half-pitch)的快閃記憶體量產應用。
艾司摩爾也表示，該公司日前已獲得客戶端共九台NXE:3300高量產型微影機台的訂單，並將於2012年開始供貨。
隨著台積電、全球晶圓(GlobalFoundries)和三星(Samsung)積極布局先進邏輯製程，以及NAND Flash記憶體大廠持續加快製程技術改朝換代的速度，讓市場對先進EUV微影設備的需求愈來愈殷切，促使相關方案供應商加緊開發步伐，以期縮短量產用EUV微影機台的推出時程。
Farrar指出，2009年時，光罩檢測與光源係為業界公認EUV微影發展的兩大挑戰，然而，在西盟成功開發出高達100瓦功率的EUV光源後，已讓EUV微影商用進展邁出一大步；2011年，該公司將持續開發功率達250瓦的EUV光源，以滿足量產型EUV微影機台每小時一百片晶圓吞吐量的要求，屆時，EUV的曝光成本將可較採雙重曝光(Double Patterning)的193奈米浸潤式(Immersion)微影更具競爭力。而第三代光源系統更將朝向350瓦以上的輸出功率精進。
至於光罩檢測的挑戰，目前則有半導體技術研究機構Sematech戮力結合卡爾蔡司(Carl Zeiss)相關業者進行研發，希望能盡早開發出第一台用於22奈米半間距製程節點的EUV光罩缺陷檢測系統。
據了解，艾司摩爾先前接獲的六台準量產型EUV機台NXE:3100訂單，目前已完成三台機台的製造，其餘三台也已接近完成階段，預計2011年中將可出貨。而為因應EUV量產商用的龐大需求，該公司也已展開製造廠房的擴建工作，將由原本八間組裝艙增加至十五間，屆時總產能將再提高三倍之多。
