三星(Samsung) 10奈米FinFET製程系統單晶片(SoC)搶下量產頭香。繼2015年1月成功推出首款FinFET行動處理器(AP)，三星擴展領先開發者地位，將最先進製程技術應用於大眾市場，提供最新的服務；時至今日，三星製程技術更有大幅度進展，預計自2017年初起，搭載10奈米FinFET晶片的行動裝置將陸續面世。
三星執行副總裁暨代工業務負責人Jong Shik Yoon表示，該公司領先業界將10奈米FinFET製程技術推向量產，代表著該公司具備優異的先進製程技術；未來該公司將會更努力創新並提供客戶差異化的完整解決方案。
三新全新10奈米FinFET製程採用更先進的多重閘極3D架構，在製程和設計上都有所加強。將較先前的14奈米FinFET製程，10奈米FinFET製程的面積效率最高可提升30%，性能則可提升27%，功耗則降低約40%。為了克服微縮限制，三星在10奈米FinFET製程導入了三重曝光(Triple-patterning)等先進技術，以實現雙向繞線(Bi-directional Routing)。
根據三星的規畫，繼第一代10奈米製程LPE量產後，第二代10奈米製程LPP將於2017年下半進入量產。LPP將可用來實現效能更高的晶片設計。
