台積電先進製程布局火力全開。除20奈米(nm)已先行導入試產外，台積電2013～2015年還將進一步採用鰭式場效應晶體(FinFET)技術，打造16、10奈米製程；同時亦可望推出18吋(450mm)晶圓樣品製造設備，全力防堵三星(Samsung)及格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)追趕。
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| 台積電執行副總經理暨共同營運長劉德音表示，台積電正致力於構建完整的半導體產業生態系統，從而加速產業技術創新。 |
台積電執行副總經理暨共同營運長劉德音表示，擴增實境(Augmented Reality, AR)、行動匯流(Mobile Convergence)、無所不在的連結(Ubiquitous Connectivity)、雲端運算和物聯網(IoT)五大發展趨勢興起，半導體產業在製程、IC設計、電源管理與軟體服務方面均要革新。其中，晶圓製程演進更至為關鍵，將有助業界設計高效能與低功耗兼具的半導體解決方案，以依循摩爾定律(Moore’s Law)腳步。
劉德音指出，台積電已擬定一套完整作戰計畫，強攻20奈米以下先進製程，並規畫旗下超大晶圓(GIGAFAB)12和14廠全力衝刺20、16及10奈米晶圓產能。目前，基於高介電常數金屬閘極(HKMG)的20奈米製程正展開試產，並將於今年底前展示具體市場成果；下一階段則將在2013年部署FinFET 16奈米製程，並於2014年商用量產。
至於10奈米方面，台積電亦選定FinFET技術做為基石，並將導入極紫外光(EUV)混搭雙重曝光(Double Patterning)的生產模式，同時擷取兩種製程優勢，加速晶圓產出時程和降低開銷。
台積電研發副總林本堅分析，晶圓代工業者原先規畫在20奈米世代就引進EUV微影製程；然而，EUV生產成本驚人且相關設備至今難產，遂導致製程技術發展延宕。預計在2015年步入10奈米世代後，才會突顯出EUV技術的必要性。
值得一提的是，台積電綜合製造成本與客戶需求考量，同一片10奈米晶圓部分製程仍將沿用雙重曝光方式。林本堅指出，雖然EUV僅須曝光一次，生產效率高，但機台昂貴將加重生產成本；因此，在不同的光罩層搭配雙重曝光技術，方能改善成本結構加速商用。
至於10奈米以下製程，林本堅認為，屆時EUV技術將更臻成熟，成本也大有改進，更適合用來提升10奈米以下晶圓生產效率。不過，到時候多重電子束(Multi E-Beam)也可望突破技術桎梏，成為晶圓代工業者另一個選擇；台積電將密切觀察兩項技術進展，並審慎評估生產效益，擇其一切入7奈米製程研發。
在此同時，台積電亦揭櫫2013～2018年18吋晶圓發展的階段性目標。台積電十二吋廠營運副總經理王建光透露，該公司最快將於2013～2014年推出18吋晶圓樣品製造工具，隨後於2015年提供測試設備(Demo Tool)；整段18吋晶圓產線則預定在2016～2017年完成，並於2018年正式啟動量產。
顯而易見，台積電今年積極參與G450C聯合組織(Global 450 Consortium)，並大灑銀彈入股半導體設備大廠–艾司摩爾(ASML)，分頭從18吋晶圓製程標準、機台研發方向著手，成效已逐漸浮現。
王建光強調，除與國際大廠協商18吋晶圓發展共識外，台積電也戮力拉攏台灣半導體材料、設備、電子設計自動化(EDA)與封測服務供應商，開發一套獨特18吋晶圓製作模式，實現差異化布局。2018年後，FinFET 10奈米將以18吋晶圓形式產出，大幅縮減晶片成本與功耗；同時降低晶圓製作過程中的水、電營運開支，進一步強化台積電的市場競爭力。
