三星(Samsung)在14奈米製程的量產進展搶得先機。三星日前推出一款全新的行動處理器–Exynos 7，該處理器採用14奈米(nm)FinFET架構製程，已正式邁向量產。
三星電子執行副總裁Gabsoo Han表示，三星所開發的14奈米FinFET製程技術是業界先進的邏輯晶片製程技術；三星期望未來透過生產14奈米應用處理器，能進一步強化智慧型手機的性能，並使行動通訊產值快速增長。
據悉，相較20奈米架構設計而成的舊款處理器，這款全新處理器–Exynos 7的性能將增強20%，更重要的是耗電量降低35%，可有效提升手機電池的續航力。此外，三星表示由於該公司採用三維鰭式電晶體(3D FinFET)的架構，因此成功克服20奈米處理器平面結構所帶來的性能與體積限制。
據了解，三星新款Exynos 7八核心處理器將率先採用14奈米FinFET製程，未來會擴展應用至其他產品。
記憶體方面，三星近期已成功量產3D垂直(Vertical)NAND快閃記憶體，該3D V-NAND快閃記憶體係三星戮力克服半導體技術限制後的成果。隨著三星FinFET製程技術演進，三星邏輯晶片與記憶體規格將持續翻新，可望進一步鞏固該公司在半導體市場的地位。
