搶在台積電之前，聯電日前率先與合作夥伴美高森美(Microsemi)共同發布首款採用65奈米嵌入式快閃(Embedded Flash, eFlash)製程技術生產的現場可編程閘陣列(FPGA)平台，讓eFlash製程技術順利邁入65奈米世代，對其未來進一步拓展汽車、工業、醫療及航太等半導體市場將大有幫助。
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| 美高森美系統單晶片產品事業群資深行銷及業務副總裁Jay Legenhausen表示，65奈米eFlash技術對該公司產品安全性、可靠性與整合度的提升均大有助益。 |
甫於日前收購愛特(Actel))的美高森美系統單晶片(SoC)產品事業群資深行銷及業務副總裁Jay Legenhausen表示，相較前一代技術，該公司採用聯電65奈米eFlash製程的新一代FPGA平台，在邏輯密度、效能及功耗表現上均更為出色，因而能滿足工業、醫療、軍事、航太、通訊和消費市場更多的設計要求。
目前，美高森美已自聯電成功取得首個矽晶圓樣品，並著手與商業和工業市場的特定客戶展開先導計畫，全力協助這些客戶順利進行導入設計。
事實上，在尚未被美高森美購併前，愛特便與聯電在eFlash製程上擁有相當密切的合作關係，該公司採用130奈米eFlash製程開發的IGLOO低功耗FPGA即是由聯電所生產。此次，聯電一舉將eFlash製程推進至65奈米，不論對該公司或半導體業界而言，均具有重大意義。
據了解，包括台積電與意法半導體(ST)先前也都公開表示已投入65奈米及55奈米eFlash技術開發。台積電係於2009年底與英飛凌(Infineon)宣布將共同研發65奈米eFlash製程，以開發符合更嚴苛品質要求的車用微控制器(MCU)及更高安全性的晶片卡，預計將於2012年下半年完成相關產品與製程驗證工作；而意法半導體則是投入55奈米eFlash製程研發，同樣也將用於車用MCU生產，預計2011年中可開始提供樣品。
