產業研究機構IC Insights發表「2021~2025年全球晶圓產能報告」，分析各地區(或國家)晶圓產能。統計指出，台灣截至2020年12月，占全球晶圓產能的21.4%，領先全球。排名第二的是韓國，市占率達20.4%。台灣是8吋晶圓產能的領導者；在12吋晶圓方面，韓國位居第一，台灣第二。三星和SK海力士(SK Hynix)持續積極擴大在韓國的工廠，提升DRAM和NAND記憶體的產能。
IC Insights觀察中長期趨勢認為，台灣將持續領先到2025年，預計在2020~2025年之間，每月將增加近140萬片晶圓(8吋晶圓)的約當產能。另外，中國2020年底占全球15.3%的產能，幾乎與日本持平。預計2021年，中國的產能將超過日本。2010年，中國的晶圓產能占比首次超過歐洲，2016年首次超過ROW地區(主要由新加坡、以色列和馬來西亞組成，但也包括俄羅斯、白俄羅斯和澳洲等國家/地區)的產能，並在2019年首次超過北美地區產能。
近年在地緣政治的催化之下，中國幾乎是傾國家之力發展半導體產業，目前在28奈米(nm)以上的成熟製程與技術門檻較低的記憶體已經逐漸展現成果，先進製程受制美國的阻擋，一直買不到EUV的設備，短時間內很難進入7nm以下的先進製程區，所以儘管中國晶圓產能不斷上升，目前在可見的未來韓國的記憶體產業與製程相對落後的代工廠可能首先受到挑戰。
據預測，2020到2025年，中國將是唯一一個產能占比上升的地區(3.7%)。雖然中國主導的大型新DRAM和NAND晶圓廠的發展不如預期，但在未來幾年，總部位於其他國家的記憶體製造商以及中國本地IC製造商在中國的產能將大幅增加。未來5年，北美地區的占有率預計將下降，因為該地區的大型半導體設計公司將繼續仰賴代工廠的製造能力。歐洲地區的產能占比預計也將繼續緩慢萎縮。
展望未來，中國在不斷投注資源發展半導體之際，也有可能最終找到突破口，不管是先進製程或者是記憶體，甚至是發展中的第三代半導體GaN與SiC技術，台灣半導體產業在掌握優勢之餘，仍然需要步步為營，持續擴大優勢。
