再生能源當紅，吸引電源晶片業者趨之若鶩。日前，在英飛凌(Infineon)領軍及德國聯邦教育與研究部(BMBF)資助下，正展開高頻寬(Wideband Gap)功率半導體元件的研發，目標為在不顯著增加系統成本之下，減低電力於進入供電網絡的損耗；快捷(Fairchild)對於高頻寬功率半導體解決方案的開發，則從材料著手，欲長期投資。
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| 快捷半導體資深副總裁金台勛表示，快捷半導體緊隨著太陽能變流器市場不斷演進的新興技術趨勢，開發專用的產品。 |
快捷半導體資深副總裁金台勛表示，高頻寬半導體已為提升高階光電變流器效能的大勢所趨，目前工業電源、油電混合車和太陽能變流器領域的功率因素校正器(PFC)，皆為碳化矽(SiC)蕭特基二極體的最主要應用，快捷半導體將從長遠的角度進行高頻寬半導體解決方案的企畫和開發。SiC蕭特基二極體已進入市場近10年，讓開關式電源供應器進行電流電壓轉換時，減少大量的能源損失，故功率半導體元件已勢不可當。目前氮化鎵(GaN)材料主要用於白色發光二極體(LED)，多項關於GaN能否應用於能源領域研究探討始於2006年。NEULAND計畫將揭示GaN元件哪些應用領域，於可靠性、易於使用及成本等方面的表現可與SiC元件匹配，甚至略勝一籌。
2010年12月下旬，由英飛凌率軍與德國聯邦教育與研究部資金挹注，NEULAND研究計畫集結六家半導體和太陽能業者，發展有效利用再生能源電力的新途徑，目標為在不顯著增加系統成本的條件下，減低電力於進入供電網絡的損耗，如太陽能面板發電效率已達極限，若欲提升1%效率，耗費的資金高昂，遂使逆變器的角色愈發重要，因而成為功率半導體供應商兵家必爭之地。目前NEULAND計畫已可減少光電逆變器能損達50%，此借助於SiC與矽基板氮化鎵(GaN-on-Si)製程的創新半導體元件，未來亦可用於桌上型與筆記型電腦、平面電視、伺服器、電信系統的開關式電源供應器零件。該計畫匯集AIXTRON、SiCrystal、AZZURRO、MicroGaN、SMA等半導體設備、晶圓製造商、太陽能技術公司等。
