凌力爾特發表高速同步MOSFET驅動器

2010 年 02 月 01 日

凌力爾特(Linear Technology)發表一款高速同步金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)驅動器–LTC4449,其專為在同步整流轉換器架構中驅動頂部和底部電源N 通道MOSFET 而設計。
 



此驅動器結合凌力爾特直流對直流(DC-DC)控制器的其中一款及電源MOSFET後,可構成一完整的高效率同步穩壓器,而能用作降壓或升壓DC-DC轉換器。LTC4449可於4 ~6.5伏特電壓範圍內驅動頂部及底部MOSFET閘極,並能操作於達38伏特之供應電壓。該驅動器可輸入4.5安培及輸出3.2安培,使其成為驅動高閘極電容及高電流MOSFET之理想選擇 。
 



LTC4449 同樣可針對更高電流應用驅動多個平行MOSFET。當驅動3,000pF負載時,其頂部MOSFET的快速8奈秒(ns)上升時間及7奈秒下降時間,以及底部MOSFET的7奈秒上升時間與4奈秒下降時間,可使切換損耗降至最低。 自適性擊穿保護可使頂部及底部MOSFET避免同步傳導,同時將dead time降至最小。
 



此外,LTC4449具備一個可達到電源步階控制與關機的三態脈衝寬度調變(PWM)輸入,其能與所有具備三態輸出特性的多相位控制器相容。此外,其亦具備一針對輸入邏輯的個別供應以匹配控制 IC的訊號振幅,以及一個在驅動器與邏輯供應上的欠壓鎖住電路。
 



凌力爾特網址:www.linear.com

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