聯華電子日前表示，力旺電子一次可編程(OTP)記憶體矽智財NeoFuse已成功導入聯電28奈米高壓(HV)製程，強攻有機發光二極體(OLED)市場，關鍵客戶已經完成設計定案(Tape Out)並準備量產。
力旺業務發展中心副總何明洲表示，繼之前與聯電合作的各高壓製程平台布建力旺的各式解決方案，很開心可與聯電進一步在28奈米高壓製程合作，因應OLED市場需求。
高階手機配備OLED顯示器已然成為趨勢，對小尺寸顯示器驅動晶片(SDDI)效能要求亦更高，這樣的需求也顯示在製程平台的選擇上，OLED關鍵客戶逐漸從55奈米或40奈米往更先進的28奈米高壓製程靠攏。
28奈米高壓製程可使高效能顯示器引擎的複雜運算能力發揮最大功能，提供OLED顯示器驅動晶片更快的資料存取速度，更高容量的靜態隨機存取記憶體(SRAM)及更好的功耗，同時達到高畫質與省電的的目的。
聯電在2019年的小尺寸顯示器驅動晶片(SDDI)量產晶圓出貨量為全球之冠，其28奈米後閘式(Gate-Last)HKMG製程具備優越管理漏電功耗與動態功率表現，可以提升行動裝置的電池壽命，以此為基礎，其28奈米高壓製程提供尺寸小的靜態隨機存取記憶體(SRAM)記憶單位(Bit-cell)以減少晶片整體面積。
